Транзистор 13003 цоколевка аналог. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже - цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A - от 10 до 15 .
У MJE13001B - от 15 до 20 .
У MJE13001C - от 20 до 25 .
У MJE13001D - от 25 до 30 .
У MJE13001E - от 30 до 35 .
У MJE13001F - от 35 до 40 .
У MJE13001G - от 40 до 45 .
У MJE13001H - от 45 до 50 .
У MJE13001I - от 50 до 55 .
У MJE13001J - от 55 до 60 .
У MJE13001K - от 60 до 65 .
У MJE13001L - от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока - 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА - 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА - не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора - в корпусе TO-92 - 0.75 Вт, в корпусе TO-126 - 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».